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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      250

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      280

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      15

      驱动电压(V)：

      10

      通（tōng）道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220-3L/-55~125

      描述：

      650V,280mΩ,15A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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